在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10......

在N2气压为2．67×10^-2Pa,500℃的条件下，用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间，In流量以3×10^14到24&#2......