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高N_2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN(英文)
在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10......
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高N2气流下GaAs(001)上用MBE法生长InN
在N2气压为2.67×10^-2Pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间,In流量以3×10^14到24......
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